Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (2) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Bagraev N$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 2 Представлено документи з 1 до 2 |
|||
| 1. | 
Bagraev N. T. High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches [Електронний ресурс] / N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, N. I. Rul' // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 1. - С. 132-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_1_17 The negative-U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The aforesaid promotes also the creation of composite bosons and fermions by the capture of single magnetic flux quanta on the edge channels under the conditions of low sheet density of carriers, thus opening new opportunities for the registration of the quantum kinetic phenomena in weak magnetic fields at high-temperatures up to the room temperature. As a certain version noted above we present the first findings of the high temperature de Haas-van Alphen, 300 K, quantum Hall, 77 K, effects as well as quantum conductance staircase in the silicon sandwich structure that represents the ultra-narrow, 2 nm, p-type quantum well (Si-QW) confined by the delta barriers heavily doped with boron on the n-type Si (100) surface. | ||
| 2. | 
Savchenko D. V. Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments [Електронний ресурс] / D. V. Savchenko, E. N. Kalabukhova, B. D. Shanina, N. T. Bagraev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. S. Khromov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 3. - С. 249-255. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_3_7 We present the experimental and theoretical results of analysis of the opticallyinduced cyclotron resonance measurements carried out using the charge carriers in silicon (Si) nanostructures at 9 GHz and 4 K. Effective mass values for electrons were determined as <$Em sub el sup * ~=~0,93m sub 0> and <$Em sub el sup * ~=~0,214m sub 0>. The obtained value of the transversal mass is higher than that reported for bulk Si. Parameters defining the energy surfaces near the valence band edge for heavy and light holes were found to be equal: A = -4,002, B = 1,0, C = 4,025, and corresponding to the experimental effective masses obtained in three orientations of the magnetic field: <$Em sub lh sup *[001] ~=~0,172>, <$Em sub lh sup *[111] ~=~0,157>, <$Em sub lh sup *[110] ~=~0,163>, and <$Em sub hh sup *[001] ~=~0,46>, <$Em sub hh sup *[111] ~=~0,56>, <$Em sub hh sup *[110] ~=~0,53>. The obtained energy band parameters and effective masses for holes have coincided with those found in bulk Si. The average values of the relaxation time of the charge carriers are found to be: <$Etau sub e,1 ~=~2,28~cdot~10 sup -10 ~s>; <$Etau sub e,2 ~=~3,57~cdot~10 sup -10 ~s>; <$Etau sub lh ~=~6,9~cdot~10 sup -10 ~s>; <$Etau sub hh ~=~7,2~cdot~10 sup -10 ~s>, which are by one order of value larger than those obtained in bulk Si. The prolongation of the transport time for photo-excited electrons and holes can be explained by the spatial separation of electrons and holes in the field of the p<^>+ | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |